Tyrystory

* Zaczerpniëte z "Zrób Sam ' 91/02/35"

Oznaczenia nowe
Zgodne z przepisami normalizacyjnymi RWPG, sâ stosowane do tyrystorów
produkowanych od 1980r.

Txxxx-x-x-xx-x-x
^^^^^ ^ ^ ^^ ^ ^
||||| | | || | + szczególne zastosowanie tyrystora
||||| | | || |
||||| | | || +-- dodatkowe wymagania dotyczâce selekcji:
||||| | | ||     X - do pracy równolegîej
||||| | | ||     B - do pracy szeregowej
||||| | | ||     C - do pracy szeregowo-równolegîej
||||| | | ||     G - na prâd bramki Igt
||||| | | ||     1÷9-na czas zaîâczania tgt
||||| | | ||
||||| | | |+---- grupa tq wg tabeli 1
||||| | | |
||||| | | +----- grupa du(d)/dt wg tabeli 1; dla triaka - grupa (du(d)/dt)com
||||| | |        wg tabeli 2
||||| | |
||||| | +------- klasa napiëciowa tyrystora, tj. wartoôę powtarzalnego
||||| |          szczytowego napiëcia blokowania Udrm i wstecznego
||||| |          wyraűona w setkach woltów
||||| |
||||| +--------- prâd graniczny w amperach; dla tyrystora - wartoôę ôrednia,
|||||            dla triaka - wartoôę skuteczna
|||||
||||+----------- cechy konstrukcji tyrystora
||||
|||+------------ odmiana wymiarowa koďcówki tyrystora
|||
||+------------- wielkoôę wymiarowa tyrystora
||
|+-------------- szczególne cechy tyrystora:
|                S - tyrystor symetryczny (triak)
|                L - tyrystor o lawinowej charakterystyce wstecznej
|                R - tyrystor szybki
|                I - tyrystor szybki
|                K - tyrystor szybki
|
+--------------- tyrystor


Oznaczenia stare
Stosowane do tyrystorów produkowanych do 1980r.

Txx-x-x-xx-x-x
^^^ ^ ^ ^^ ^ ^
||| | | || | + szczególne zastosowanie tyrystora
||| | | || |
||| | | || +-- dodatkowe wymagania dotyczâce selekcji:
||| | | ||     X - do pracy równolegîej
||| | | ||     B - do pracy szeregowej
||| | | ||     C - do pracy szeregowo-równolegîej
||| | | ||     G - na prâd bramki Igt
||| | | ||
||| | | |+---- grupa czasu wyîâczania wg tabeli 1
||| | | |
||| | | +----- grupa krytycznej stromoôci narastania napiëcia blokowania
||| | |        wg tabeli 1
||| | |
||| | +------- powtarzalne szczytowe napiëcie wsteczne i blokowania
||| |          w setkach woltów
||| |
||| +--------- prâd graniczny w amperach
|||
||+----------- kolejne wykonanie
||
|+------------ wersja konstrukcyjna
|              0 - podstawa ôrubowa
|              1 - obudowa z tworzywa sztucznego
|
+------------- tyrystor

TABELA 1
Znaki okreôlajâce parametry dynamiczne tyrystora
 ----------------------------------------------------------------------
|     Grupa       |O| E | R | P | K |H |1 |2 | 3 | 4 | 5 | 6 | 7  | 8  |
|-----------------+-+---+---+---+---+--+--+--+---+---+---+---+----+----|
|                 | |   |   |   |   |  |  |  |   |   |   |   |    |    |
|min/du /dt\[V/µs]|-|   |   |   |   |  |20|50|100|200|320|500|1000|    |
|   \  D   /      | |   |   |   |   |  |  |  |   |   |   |   |    |    |
|-----------------+-+---+---+---+---+--+--+--+---+---+---+---+----+----|
|max tq           |-|350|250|150|100|80|63|50| 40| 32| 25| 20| 16 |12,5|
 ----------------------------------------------------------------------

TABELA 2
Znak okreôlajâcy parametr (du /dt)    dla triaka
                             D    com
 ---------------------------------------------------
|     Grupa       |O| 1 | 2 | 3 |4 |5 |6 |7 | 8 | 9 |
|-----------------+-+---+---+---+--+--+--+--+---+---|
|                 | |   |   |   |  |  |  |  |   |   |
|min/du /dt\[V/µs]|-|2,5|4,0|6,3|10|16|25|50|100|200|
|   \  D   /      | |   |   |   |  |  |  |  |   |   |
 -------------------------------------------------- 

Objaônienia
U      - powtarzalne szczytowe napiëcie blokowania
 DRM
U      - powtarzalne szczytowe napiëcie wsteczne
 RRM
U      - napiëcie bramki przeîâczajâcej
 GT
I      - prâd graniczny, maksymalny ôredni prâd przewodzenia
 T/AV/m
I      - skuteczny prâd przewodzenia
 T/RMS
I      - niepowtarzalny szczytowy prâd przewodzenia
 TSM
I˛*t   - parametr przeciâűeniowy
I      - prâd wyîâczania
 H
I      - prâd zaîâczania
 L
I      - prâd bramki zaîâczajâcy
 GT
(du /dt)    - krytyczna stromoôę narastania napiëcia blokowania
   D    crit
(du /dt)    - krytyczna stromoôę narastania napiëcia komutacyjnego
   D    com
(di /dt)    - krytyczna stromoôę narastania prâdu przewodzenia
   D    crit
t      - czas zaîâczania
 gt
t      - czas wyîâczania
 q
T      - temperatura struktury PNPN (zîâcza)
 i
T      - temperatura obudowy
 c
R      - rezystancja cieplna zîâcze-obudowa
 thjc